发布日期：2025-09-28 06:14    点击次数：146

8日，第一财经从国内氮化镓（GaN）龙头企业英诺赛科（02577.HK）处阐述，公司将进一步进步8英寸（200mm）产能，预测年底将从1.3万片/月扩产至2万片/月。此前公司暗意，要在将来五年内进步到7万片/月。

英诺赛科是杀青大边界量产8英寸晶圆的氮化镓集成器件制造商（IDM），居品覆盖晶圆制造、分立器件、智能氮化镓IC、运转驱散芯片和氮化镓功率模块。当今氮化镓（GaN）在充电器偶然其他破钞电子居品里的占比越来越高。凭借高遵循和小体积，也在电板的双向电能调整、光伏的光储互补、数据中心功率密度进步领域推崇焦虑作用，有望成为替代硅的焦虑材料。

英诺赛科知道扩产的时分点恰逢台积电退出氮化镓代工业务，英飞凌不久前也刚高调秘书在300mm晶圆上的可彭胀GaN坐褥已步入正轨，首批样品将于2025年第四季度向客户提供。现存的知名功率半导体企业不肯错过这么快速增长的市集是对氮化镓将来发展的认同，但在工程可杀青方面，昭彰存在远离。

凭证Yole Group的预测，到2030年，GaN在功率诈欺领域的收入将以每年36%的速率增长，达到约25亿好意思元。

相较于8英寸晶圆，12英寸晶圆的芯片产出数增多了2.3倍，要督察稳固的良率并掩盖易，样品与具备资本效益的稳固量产之间，仍有漫长的工程优化之路要走。

“送样之后是不是准备量产？要是准备量产，第一个问题应该问MOCVD开发是谁家的？这个寰宇上还莫得不错量产12寸MOCVD，莫得产业化的开发。”英诺赛科强调，公司将聚焦8英寸产线工程化的纯熟度，再逐渐鼓吹12英寸产线，不会追赶观点性本事。关于12英寸本事投向市集，英诺赛科预测到2030年才智杀青生意化。

“公司居品在合手续迭代，将来几年内将通过产能进步和居品迭代，在性能和资本上对传统硅功率半导体造成权贵上风。这种本事逾越能为客户带来高达40%的性能进步和30%的收益。”英诺赛科合计，这不仅与产能进步关联，也意味着需要追随客户3-5年的时分才智看到效果。

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宁佳彦

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